Verfahren zur Herstellung von Gateoxyd für Trench Gate DRAM Zellen

EP1296369 Art A1 26. März 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1296369
Aktenzeichen: EP01122468
Anmeldetag: 20. September 2001
Veröffentlichung: 26. März 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8242

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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