Verfahren zur Selektiven Ätzung von Dotiertem Siliziumoxid auf Undotiertem Siliziumoxid
EP1297564
Art B1
17. September 2008
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1297564
- Aktenzeichen
- EP01956164
- Anmeldetag
- 5. Juli 2001
- Veröffentlichung
- 17. September 2008
- Erteilung
- 17. September 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Altenburg, Udo
München, Deutschland
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