Verfahren zur Herstellung eines Poröser Siliciumnitrid Gegenstand
EP1298110
Art B1
6. Januar 2010
Anmelder: NGK Insulators, Ltd., NGK INSULATORS, LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1298110
- Aktenzeichen
- EP02705468
- Anmeldetag
- 25. März 2002
- Veröffentlichung
- 6. Januar 2010
- Erteilung
- 6. Januar 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C04B38/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NGK Insulators, Ltd.
NGK INSULATORS, LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
NGK Insulators
Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.
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Fachgebiete
Vertreten von
Paget, Hugh Charles Edward
London, Großbritannien
2.000
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