Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiteranordnung

EP1298711 Art B1 9. Februar 2011

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1298711
Aktenzeichen
EP02018590
Anmeldetag
19. August 2002
Veröffentlichung
9. Februar 2011
Erteilung
9. Februar 2011
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/28H01L29/788H01L29/423
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Infineon Technologies AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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