Gate-Struktur und Verfahren zur Herstellung
EP1298712
Art B1
29. Dezember 2010
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1298712
- Aktenzeichen
- EP02021976
- Anmeldetag
- 30. September 2002
- Veröffentlichung
- 29. Dezember 2010
- Erteilung
- 29. Dezember 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/51H01L29/10H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
4.306 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
1.203
Patente gesamt
19
Fachgebiete
7
Anmelder-Länder
Schwerpunkte