Kathodenanordnung für eine Indirekt Geheizte Kathode einer Ionenquelle

EP1299895 Art B1 19. Januar 2005

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1299895
Aktenzeichen
EP01928826
Anmeldetag
25. April 2001
Veröffentlichung
19. Januar 2005
Erteilung
19. Januar 2005
Rechtsraum
EP
IPC
H01J27/02
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Varian Semiconductor Equipment Associates Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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