Verfahren zur Verbesserung der Epitaxie-Qualität (oberflächenstruktur und Fehlstellen-Dichte) in Freistehenden (aluminium, Indium, Gallium) Nitrid ((ai,in,ga)n) Substraten für Optoelektronische und Elektronische Bauelemente

EP1299900 Art B1 12. Dezember 2012

Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC., ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1299900
Aktenzeichen: EP01946718
Anmeldetag: 27. Juni 2001
Veröffentlichung: 12. Dezember 2012
Erteilung: 12. Dezember 2012
Rechtsraum: EP
IPC: C30B23/02C30B23/04C30B28/12C30B28/14C30B29/58C23C14/06C23C14/24C23C16/30

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von

Golding, Louise Ann London, Großbritannien

454

Patente gesamt

Fachgebiete

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Schwerpunkte

Medizintechnik & Gesundheit Organische Chemie Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Kunststoff- & Polymertechnik Pharma & Biotechnologie Farben, Klebstoffe & Brennstoffe

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