Verfahren zur Verbesserung der Epitaxie-Qualität (oberflächenstruktur und Fehlstellen-Dichte) in Freistehenden (aluminium, Indium, Gallium) Nitrid ((ai,in,ga)n) Substraten für Optoelektronische und Elektronische Bauelemente
Anmelder: Cree, Inc., CREE, INC., ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1299900
- Aktenzeichen
- EP01946718
- Anmeldetag
- 27. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 12. Dezember 2012
- Erteilung
- 12. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B23/02C30B23/04C30B28/12C30B28/14C30B29/58C23C14/06C23C14/24C23C16/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Cree, Inc.
CREE, INC.
ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanischer Halbleiterhersteller, bekannt für LED- und Leistungshalbleitertechnik auf Siliziumkarbid-Basis. Das Unternehmen benannte sich 2021 in Wolfspeed um.
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Der Anmelder ist ein US-amerikanischer Hersteller von Spezialchemikalien und Materialien für die Halbleiterindustrie, bekannt als ATMI, inzwischen Teil von Entegris. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und Elektrobauelemente sowie auf Verfahrens- und Trenntechnik, Metallurgie und Verpackungstechnik. Anmeldungen laufen seit dem Jahr 2000 durchgehend fort.
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Fachgebiete
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Samuels, Adrian James
NoneLondon
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Harrison, Robert J., Ph. D
NoneMünchen