Herstellungsverfahren für ein Gate für eine Cmos Transistorstruktur mit Reduzierter Kanallänge
EP1299902
Art B1
26. Juni 2019
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives, CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS), COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1299902
- Aktenzeichen
- EP01953196
- Anmeldetag
- 6. Juli 2001
- Veröffentlichung
- 26. Juni 2019
- Erteilung
- 26. Juni 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/423H01L29/49
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
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Vertreten von
Ilgart, Jean-Christophe
Paris, Frankreich
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