Verfahren zur Ätzung von Gate-Elektroden aus Wolfram oder Wolfram Nitrid in Halbleitenden Strukturen
EP1299904
Art A2
9. April 2003
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1299904
- Aktenzeichen
- EP01952923
- Anmeldetag
- 22. Juni 2001
- Veröffentlichung
- 9. April 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/3213
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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Vertreten von
Zimmermann, Gerd Heinrich
München, Deutschland
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