Mram Architekturen mit Erhöhter Schreibeselektivität
EP1301928
Art B1
15. Dezember 2004
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1301928
- Aktenzeichen
- EP01952666
- Anmeldetag
- 12. Juli 2001
- Veröffentlichung
- 15. Dezember 2004
- Erteilung
- 15. Dezember 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
3.194 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Fox-Male, Nicholas Vincent Humbert
Nottingham, Großbritannien
514
Patente gesamt
31
Fachgebiete
16
Anmelder-Länder
Schwerpunkte