Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Siliziumcarbidschicht
EP1302981
Art A3
2. Juni 2004
Anmelder: FUJITSU LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1302981
- Aktenzeichen
- EP02002111
- Anmeldetag
- 28. Januar 2002
- Veröffentlichung
- 2. Juni 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- FUJITSU LIMITED
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Fujitsu
Japanisches Unternehmen für Informationstechnik, das Computer, Server, Netzwerktechnik sowie IT-Dienstleistungen und Softwarelösungen entwickelt und anbietet.
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Seeger, Wolfgang
München, Deutschland
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