Verfahren zur Herstellung eines Gebondeten Wafers und Gebondeter Wafer
EP1302985
Art A1
16. April 2003
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1302985
- Aktenzeichen
- EP01932319
- Anmeldetag
- 29. Mai 2001
- Veröffentlichung
- 16. April 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Fachgebiete
Vertreten von
Cooper, John
Glasgow, Großbritannien
821
Patente gesamt
29
Fachgebiete
20
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