Laserbestrahlungsverfahren und Laserbestrahlungsvorrichtung und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung
EP1304186
Art B1
16. September 2009
Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd., SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1304186
- Aktenzeichen
- EP02021768
- Anmeldetag
- 25. September 2002
- Veröffentlichung
- 16. September 2009
- Erteilung
- 16. September 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B23K26/06B23K26/073G02B27/09H01L21/20H01L21/268H01L21/84
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Semiconductor Energy Laboratory
Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.
4.187 Patente in unserer Datenbank