Halbleitervorrichtung mit mehrschichtigem Aufbau sowie Verfahren zu dessen Herstellung

EP1304563 Art A1 23. April 2003

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1304563
Aktenzeichen: EP02019081
Anmeldetag: 28. August 2002
Veröffentlichung: 23. April 2003
Rechtsraum: EP
IPC: G01N27/327C12Q1/00C12Q1/68

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Pharma & Biotechnologie

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