Einrichtung und Verfahren für die thermische Behandlung eines II-VI Halbleiters, sowie nach dem Verfahren hergestellte Halbleiter
EP1304733
Art A3
7. Januar 2009
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1304733
- Aktenzeichen
- EP02023606
- Anmeldetag
- 17. Oktober 2002
- Veröffentlichung
- 7. Januar 2009
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/46
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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