Verfahren zur Züchtung einkristallinen GaN und Verfahren zur Herstellung eines Substrates aus einkristallinem GaN und danach hergestelltes Substrat

EP1304749 Art B1 20. August 2008

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1304749
Aktenzeichen: EP02022351
Anmeldetag: 8. Oktober 2002
Veröffentlichung: 20. August 2008
Erteilung: 20. August 2008
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/00C30B25/02C30B23/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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