Feldeffekttransistor, Schaltungsanordnung und Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors
EP1305834
Art A1
2. Mai 2003
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1305834
- Aktenzeichen
- EP01960126
- Anmeldetag
- 19. Juli 2001
- Veröffentlichung
- 2. Mai 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L51/20H01L29/775H01L21/335
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Fachgebiete
Vertreten von
Kottmann, Heinz Dieter
München, Deutschland
104
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4
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