Vorsätzliche Lücke in Füllender Dielektrischer Zwischenschicht zur Reduzierung der Dielektrizitätskonstante

EP1307913 Art A1 7. Mai 2003

Anmelder: Globalfoundries Inc., GlobalFoundries, Inc., ADVANCED MICRO DEVICES, INC., ADVANCED MICRO DEVICES INC. 🇰🇾

Details

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Firmen: Globalfoundries Inc.
GlobalFoundries, Inc.
ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
ADVANCED MICRO DEVICES INC.
Land: 🇰🇾 KY

🇺🇸 Advanced Micro Devices

US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.

1.708 Patente in unserer Datenbank

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Sanders, Peter Colin Christopher London, Großbritannien

Patente gesamt

Fachgebiete

Anmelder-Länder

Schwerpunkte

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Nachrichtentechnik & Telekommunikation Elektronik & Schaltungstechnik Akustik, Musik & Datenspeicherung Optik & Fototechnik

Weitere Vertreter