Hochvolt-Diode und Verfahren zu deren Herstellung
EP1307923
Art B1
2. November 2005
Anmelder: Infineon Technologies AG, eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1307923
- Aktenzeichen
- EP01964927
- Anmeldetag
- 24. August 2001
- Veröffentlichung
- 2. November 2005
- Erteilung
- 2. November 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/861H01L29/06H01L21/304
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Kottmann, Heinz Dieter
München, Deutschland
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