Silizium-Einkristall-Wafer mit Hohlraumfreier Zone auf der Oberfläche, Durchmesser von Ungefähr 300MM und dessen Herstellung
EP1308544
Art A1
7. Mai 2003
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1308544
- Aktenzeichen
- EP02736029
- Anmeldetag
- 7. Juni 2002
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/06C30B33/02C30B15/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
1.022 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Cooper, John
Glasgow, Großbritannien
821
Patente gesamt
29
Fachgebiete
20
Anmelder-Länder
Schwerpunkte