Hochdielektrizitätszahl-Gateoxyd mit Titaniumpufferschicht für MFOH Einzeltransistorspeicheranwendungen

EP1308993 Art A3 7. November 2007

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1308993
Aktenzeichen: EP02024051
Anmeldetag: 28. Oktober 2002
Veröffentlichung: 7. November 2007
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L29/78H01L29/51H01L21/316C23C16/02C23C16/40C23C16/56H01L29/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sharp Kabushiki Kaisha
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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