Scheibe mit In-haltiger Verbundhalbleiter-Oberflächenlage und Methode zur Profilierung ihrer Ladungsträgerkonzentration
EP1308998
Art B1
5. Mai 2010
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1308998
- Aktenzeichen
- EP02257412
- Anmeldetag
- 24. Oktober 2002
- Veröffentlichung
- 5. Mai 2010
- Erteilung
- 5. Mai 2010
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/66G01N27/22G01R31/312
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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Vertreten von
Cross, Rupert Edward Blount
London, Großbritannien
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