Verfahren für die Herstellung eines Halbleiterartikels mittels Graduellem Epitaktischen Wachsen
Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1309989
- Aktenzeichen
- EP01973651
- Anmeldetag
- 10. August 2001
- Veröffentlichung
- 10. Januar 2007
- Erteilung
- 10. Januar 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/205
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
- Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.
5.635 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Kanzlei in Hebden Bridge, Westyorkshire, betreut Mandanten in Manchester, Yorkshire und Lancashire zu Patent-, Marken- und Designfragen. Versteht sich als langfristiger Berater statt reiner Dienstleister und bietet zusätzlich IP-Audits für Unternehmen, die ihre Schutzrechte erstmals systematisch ordnen wollen.
-
Atkinson, Jonathan David Mark
NoneLeeds