Verfahren für die Herstellung eines Halbleiterartikels mittels Graduellem Epitaktischen Wachsen

EP1309989 Art B1 10. Januar 2007

Anmelder: MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1309989
Aktenzeichen
EP01973651
Anmeldetag
10. August 2001
Veröffentlichung
10. Januar 2007
Erteilung
10. Januar 2007
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/205
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Massachusetts Institute of Technology

US-amerikanische Universität mit Sitz in Cambridge, Massachusetts, eine der weltweit führenden Forschungseinrichtungen. Aktiv in nahezu allen technischen und naturwissenschaftlichen Feldern, darunter Informatik, Ingenieurwesen, Materialwissenschaften und Biotechnologie.

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Kanzlei in Hebden Bridge, Westyorkshire, betreut Mandanten in Manchester, Yorkshire und Lancashire zu Patent-, Marken- und Designfragen. Versteht sich als langfristiger Berater statt reiner Dienstleister und bietet zusätzlich IP-Audits für Unternehmen, die ihre Schutzrechte erstmals systematisch ordnen wollen.

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