Niedertemperatur-Prozessierung Ferroelektrischer Strontium-Wismuth-Tantalat-Schichten und Herstellung Ferroelektrischer Bauelemente daraus
EP1312107
Art A1
21. Mai 2003
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1312107
- Aktenzeichen
- EP01962657
- Anmeldetag
- 14. August 2001
- Veröffentlichung
- 21. Mai 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/02H01L21/316
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Graf Lambsdorff, Matthias
München, Deutschland
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