Methode zur Reduzierung des Gate-Induzierten Drain-Leckstromes (gild) in Dünnen Gate-Oxid-Mosfets
EP1312110
Art A2
21. Mai 2003
Anmelder: Micron Technology, Inc., MICRON TECHNOLOGY, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1312110
- Aktenzeichen
- EP01966127
- Anmeldetag
- 23. August 2001
- Veröffentlichung
- 21. Mai 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- Micron Technology, Inc.
MICRON TECHNOLOGY, INC. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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Vertreten von
Caldwell, Judith Margaret
London, Großbritannien
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