Dichte Matrizen und Ladungsspeicheranordnungen und Verfahren zur Herstellung
EP1312120
Art A1
21. Mai 2003
Anmelder: SanDisk 3D LLC, Sandisk 3D LLC, Matrix Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1312120
- Aktenzeichen
- EP01965876
- Anmeldetag
- 13. August 2001
- Veröffentlichung
- 21. Mai 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115H01L29/788H01L27/14G11C11/34H01L21/8246H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SanDisk 3D LLC
Sandisk 3D LLC
Matrix Semiconductor, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
SanDisk 3D
SanDisk 3D war eine auf dreidimensionale Speichertechnologien spezialisierte Tochtergesellschaft von SanDisk, heute Teil von Western Digital. Das Patentportfolio konzentriert sich sehr stark auf Halbleiterbauelemente sowie Akustik- und Datenspeichertechnik. Die Anmeldungen aus 2001 bis 2014 betreffen unter anderem vertikale Feldeffekttransistoren und 1T-1R-Speicherzellen.
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