Polysilizium-Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung

EP1313134 Art B1 27. Januar 2010

Anmelder: Tohoku Techno Arch Co., Ltd., SHARP CORPORATION, Sharp Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1313134
Aktenzeichen
EP01930116
Anmeldetag
14. Mai 2001
Veröffentlichung
27. Januar 2010
Erteilung
27. Januar 2010
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/205H01L21/31C23C16/40H01L21/336H01L29/786C03C17/34
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
Tohoku Techno Arch Co., Ltd.
SHARP CORPORATION
Sharp Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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