Leistungs-MOSFET-Bauelement

EP1313147 Art A3 2. Januar 2008

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1313147
Aktenzeichen
EP02001174
Anmeldetag
28. Januar 2002
Veröffentlichung
2. Januar 2008
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/08H01L29/78H01L21/336H01L29/10H01L21/265
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Kabushiki Kaisha Toshiba
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

13.647 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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