Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Graben-Gate und Entsprechende Anordnung
EP1314195
Art A2
28. Mai 2003
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1314195
- Aktenzeichen
- EP01960654
- Anmeldetag
- 9. August 2001
- Veröffentlichung
- 28. Mai 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/331H01L21/8242H01L21/338H01L29/78H01L29/739H01L27/108H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.985 Patente in unserer Datenbank
🇳🇱
Philips
Niederländisches Technologieunternehmen mit Sitz in Amsterdam, spezialisiert auf Medizintechnik, Diagnosegeräte, Patientenüberwachung sowie Gesundheits- und Wellnessprodukte.
45.201 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
-
Sharrock, Daniel John
Nash Matthews LLP · Redhill
-
Stevens, Brian Thomas
NoneEindhoven