Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit Graben-Gate und Entsprechende Anordnung
EP1314195
Art A2
28. Mai 2003
Anmelder: NXP B.V., Koninklijke Philips Electronics N.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1314195
- Aktenzeichen
- EP01960654
- Anmeldetag
- 9. August 2001
- Veröffentlichung
- 28. Mai 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/331H01L21/8242H01L21/338H01L29/78H01L29/739H01L27/108H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Koninklijke Philips Electronics N.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.818 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Williamson, Paul Lewis
Eindhoven, Niederlande
1.451
Patente gesamt
19
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
White, Andrew Gordon
NoneEindhoven
-
Sharrock, Daniel John
Nash Matthews LLP · Redhill
-
Stevens, Brian Thomas
NoneEindhoven