Verfahren zur Herstellung einer Antifuse und Antifuse zur Selektiven Elektrischen Verbindung von Benachbarten Leitenden Bereichen
EP1314201
Art A1
28. Mai 2003
Anmelder: Qimonda AG, Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1314201
- Aktenzeichen
- EP01958074
- Anmeldetag
- 16. August 2001
- Veröffentlichung
- 28. Mai 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/525
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Qimonda AG
Infineon Technologies AG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Vertreten von
Wilhelm, Jürgen
München, Deutschland
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