Verfahren zur Herstellung einer Schottky-Diode auf einem Siliziumkarbid-Substrat
EP1315202
Art A1
28. Mai 2003
Anmelder: STMicroelectronics S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1315202
- Aktenzeichen
- EP02354181
- Anmeldetag
- 21. November 2002
- Veröffentlichung
- 28. Mai 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/329H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics S.A.
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
4.265 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
1.230
Patente gesamt
32
Fachgebiete
18
Anmelder-Länder
Schwerpunkte