Verfahren zur Herstellung einer Dielektrischen Schicht vor der Metallabscheidung auf einem Halbleitersubstrat

EP1316107 Art A2 4. Juni 2003

Anmelder: ATMEL CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1316107
Aktenzeichen
EP01984577
Anmeldetag
18. Juli 2001
Veröffentlichung
4. Juni 2003
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/316
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
ATMEL CORPORATION
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Atmel

Atmel war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller für Mikrocontroller und wurde 2016 von Microchip Technology übernommen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Halbleiterbauelemente, ergänzt um Datenspeicherung und Elektronik. Anmeldungen liegen im Zeitraum 2000 bis 2021.

492 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen