Kleinflächige Kontaktzone, hocheffizientes Phasenwechsel-Speicherelement und dessen Verfahren zur Herstellung
EP1318552
Art A1
11. Juni 2003
Anmelder: STMicroelectronics Srl, Ovonyx Inc., OVONYX Inc., STMicroelectronics S.r.l. 🇮🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1318552
- Aktenzeichen
- EP01128461
- Anmeldetag
- 5. Dezember 2001
- Veröffentlichung
- 11. Juni 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L45/00G11C11/34H01L27/24
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics Srl
Ovonyx Inc.
OVONYX Inc.
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇮🇹 Italien
🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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Vertreten von
Manley, Nicholas Michael
Liverpool, Großbritannien
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WP Thompson
WP Thompson · Liverpool
-
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-
Cerbaro, Elena, Dr
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