Halbleiter Laser und Herstellungsverfahren

EP1318581 Art A9 28. Januar 2004

Anmelder: Sharp Kabushiki Kaisha 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1318581
Aktenzeichen
EP01945784
Anmeldetag
3. Juli 2001
Veröffentlichung
28. Januar 2004
Rechtsraum
EP
IPC
H01S5/16
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Sharp Kabushiki Kaisha
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sharp

Japanischer Elektronikkonzern mit Sitz in Sakai bei Osaka, seit 2016 mehrheitlich zu Foxconn gehörend. Aktiv in Displaytechnik (LCD, OLED), Unterhaltungselektronik, Haushaltsgeräten sowie Halbleiter- und Solartechnologie.

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