Gaszusammensetzungen zur Innenreaktorreinigung und zum Ätzen von Silizium Enthaltenden Verbindungen
Anmelder: TOKYO ELECTRON LIMITED, Renesas Electronics Corporation, Panasonic Corporation, Daikin Industries, Ltd., Canon Anelva Corporation, Sanyo Electric Co., Ltd., Hitachi Kokusai Electric Inc., Sony Corporation, Kanto Denka Kogyo Co., Ltd., National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, ANELVA CORPORATION, National Institute of Advanced Industrial Science And Technology, Renesas Technology Corp., NEC Electronics Corporation, DAIKIN INDUSTRIES, LTD., SANYO ELECTRIC CO., LTD., SONY CORPORATION, Kanto Denka Kogyo CO., LTD., MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD., Research Institute of Innovative Technology for the Earth 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1320875
- Aktenzeichen
- EP01970182
- Anmeldetag
- 21. September 2001
- Veröffentlichung
- 12. August 2015
- Erteilung
- 12. August 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B08B7/00C09K13/00H01L21/3065H01L21/311H01L21/3213C23C16/44
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- TOKYO ELECTRON LIMITED
Renesas Electronics Corporation
Panasonic Corporation
Daikin Industries, Ltd.
Canon Anelva Corporation
Sanyo Electric Co., Ltd.
Hitachi Kokusai Electric Inc.
Sony Corporation
Kanto Denka Kogyo Co., Ltd.
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
ANELVA CORPORATION
National Institute of Advanced Industrial Science And Technology
Renesas Technology Corp.
NEC Electronics Corporation
DAIKIN INDUSTRIES, LTD.
SANYO ELECTRIC CO., LTD.
SONY CORPORATION
Kanto Denka Kogyo CO., LTD.
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
Research Institute of Innovative Technology for the Earth - Land
- 🇯🇵 Japan
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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Vertreten von
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