Herstellungsprozess für Verarmungs-Mosfet-Bauelemente, Silizidierte Source-Und Drainkontakte
EP1320878
Art B1
28. Dezember 2005
Anmelder: International Business Machines Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1320878
- Aktenzeichen
- EP01967502
- Anmeldetag
- 17. September 2001
- Veröffentlichung
- 28. Dezember 2005
- Erteilung
- 28. Dezember 2005
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- International Business Machines Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
IBM
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.
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Fachgebiete
Vertreten von
Waldner, Philip
Winchester, Großbritannien
127
Patente gesamt
13
Fachgebiete
2
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