Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements aus Halbleitermaterial mit Reduzierter Mittlerer Freier Weglänge und mit dem Verfahren Hergestelltes Halbleiterbauelement
EP1320897
Art B1
5. Dezember 2012
Anmelder: Infineon Technologies AG, EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1320897
- Aktenzeichen
- EP01985777
- Anmeldetag
- 27. August 2001
- Veröffentlichung
- 5. Dezember 2012
- Erteilung
- 5. Dezember 2012
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/32H01L29/861
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Infineon Technologies AG
EUPEC Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG - Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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Schmuckermaier, Bernhard
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