Verfahren zur Herstellung einer freitragenden Struktur, Verfahren zur Herstellung einer freitragenden Gate-Elektrode und Feldemissionsvorrichtung mit einer derartigen Struktur
EP1321958
Art B1
28. Juni 2006
Anmelder: Samsung SDI Co., Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1321958
- Aktenzeichen
- EP02256796
- Anmeldetag
- 30. September 2002
- Veröffentlichung
- 28. Juni 2006
- Erteilung
- 28. Juni 2006
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01J1/304
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Samsung SDI Co., Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
Samsung SDI
Südkoreanisches Unternehmen der Samsung-Gruppe, das Batterien und Energiespeichersysteme für Elektrofahrzeuge, Elektronikgeräte und stationäre Anwendungen entwickelt und produziert.
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Fachgebiete
Vertreten von
Greene, Simon Kenneth
Sevenoaks, Großbritannien
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