Verfahren zur Herstellung auf Waferebene einer Kupferkappenschicht auf einer Anschlusskontaktfläche
EP1321982
Art B1
27. Juli 2011
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1321982
- Aktenzeichen
- EP02102839
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2011
- Erteilung
- 27. Juli 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/60
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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