System, Vorrichtung und Verfahren zur Waferbehandlung unter Verwendung von Monofrequenz-Rf-Leistung in einer Plasma-Behandlungskammer

EP1323180 Art B1 11. Dezember 2013

Anmelder: LAM RESEARCH CORPORATION 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP1323180
Aktenzeichen
EP01981834
Anmeldetag
5. Oktober 2001
Veröffentlichung
11. Dezember 2013
Erteilung
11. Dezember 2013
Rechtsraum
EP
IPC
H01J37/32
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
LAM RESEARCH CORPORATION
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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