Silizium enthaltendes substrat mit schicht mit angepasstem thermischem ausdehnungskoeffizienten
EP1323689
Art A3
17. März 2004
Anmelder: United Technologies Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1323689
- Aktenzeichen
- EP02258674
- Anmeldetag
- 17. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 17. März 2004
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C04B41/87C04B41/89C23C4/10F01D5/28
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- United Technologies Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
RTX Corporation
US-amerikanischer Luft- und Raumfahrt- sowie Verteidigungskonzern, entstanden aus Raytheon und United Technologies. Entwickelt und fertigt Triebwerke, Avionik, Radarsysteme, Raketen- und Verteidigungstechnik für zivile und militärische Kunden.
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Vertreten von
Hall, Matthew Benjamin
London, Großbritannien
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