Metalloxid Halbleiter-Dünnschicht und Herstellungsverfahren
EP1324398
Art A3
16. Mai 2007
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1324398
- Aktenzeichen
- EP02258551
- Anmeldetag
- 11. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 16. Mai 2007
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/18H01L33/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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Vertreten von
Smith, Norman Ian
London, Großbritannien
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