Herstellungsverfahren eines Silizium-Wafers und eines Silizium-Epitaxial-Wafers
EP1326270
Art B1
14. Dezember 2011
Anmelder: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd., SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1326270
- Aktenzeichen
- EP01965659
- Anmeldetag
- 14. September 2001
- Veröffentlichung
- 14. Dezember 2011
- Erteilung
- 14. Dezember 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/322
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
SHIN-ETSU HANDOTAI COMPANY LIMITED - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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Vertreten von
Cooper, John
Glasgow, Großbritannien
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