Ein P-Gate-NMOS-Kondensator mit dickem Oxid verwendet in einer Phasenregelkreisschaltung und diesbezügliches Herstellungsverfahren
EP1326284
Art A3
26. November 2008
Anmelder: Broadcom Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1326284
- Aktenzeichen
- EP02258965
- Anmeldetag
- 24. Dezember 2002
- Veröffentlichung
- 26. November 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/94
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Broadcom Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Broadcom
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Fokus auf Kommunikations-, Netzwerk- und Speicherchips. Die ursprüngliche Broadcom Corporation ging 2016 in der heutigen Broadcom Inc. auf.
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Jehle, Volker Armin
München, Deutschland
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