Verfahren zum Modellieren und zum Herstellen einer integrierten Schaltung mit mindestens einem Feldeffektransistor mit isolierter Steuerelektrode und entsprechende integrierte Schaltung
EP1327944
Art A1
16. Juli 2003
Anmelder: STMicroelectronics S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1327944
- Aktenzeichen
- EP03290052
- Anmeldetag
- 9. Januar 2003
- Veröffentlichung
- 16. Juli 2003
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G06F17/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics S.A.
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Vertreten von
Zapalowicz, Francis
München, Deutschland
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