Herstellungsverfahren für komplementäre Transistoren
EP1328017
Art B1
9. Juli 2008
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1328017
- Aktenzeichen
- EP02102657
- Anmeldetag
- 28. November 2002
- Veröffentlichung
- 9. Juli 2008
- Erteilung
- 9. Juli 2008
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L27/092
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Vertreten von
Holt, Michael
Northampton, Großbritannien
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