Herstellungsverfahren eines Mos-Transistors
EP1328969
Art B1
7. Dezember 2011
Anmelder: STMicroelectronics S.A. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP1328969
- Aktenzeichen
- EP01976365
- Anmeldetag
- 5. Oktober 2001
- Veröffentlichung
- 7. Dezember 2011
- Erteilung
- 7. Dezember 2011
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics S.A.
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Fachgebiete
Vertreten von
de Beaumont, Michel
Grenoble, Frankreich
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