Verfahren zur Herstellung von mit Cmos Integrierten Heteroübergang-Photodioden

EP1328975 Art B1 27. April 2011

Anmelder: Quantum Semiconductor, LLC, AUGUSTO, Carlos Jorge Ramiro Proenca, Forester, Lynn 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1328975
Aktenzeichen: EP01976306
Anmeldetag: 12. Oktober 2001
Veröffentlichung: 27. April 2011
Erteilung: 27. April 2011
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/144H01L27/146H01L31/18H01L31/0352

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Quantum Semiconductor, LLC
AUGUSTO, Carlos Jorge Ramiro Proenca
Forester, Lynn
Land: 🇺🇸 USA

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von

Vanderperre, Robert Bruxelles, Belgien

24

Patente gesamt

11

Fachgebiete

4

Anmelder-Länder

Schwerpunkte

Straßen-, Wasser- & Tiefbau Halbleiter & Elektrische Bauelemente Haushalts-, Möbel- & Konsumgüter Verpackungs- & Fördertechnik Optik & Fototechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation

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