Herstellungsverfahren von Halbleitervorrichtungen mit Laserkristallisationsschritt

EP1329946 Art A3 6. April 2005

Anmelder: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD., SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1329946
Aktenzeichen: EP02026824
Anmeldetag: 28. November 2002
Veröffentlichung: 6. April 2005
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/268H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
SEL SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von