Heteroübergang-Bipolartransistor und integrierte Halbleiterschaltung die diesen benutzt

EP1329959 Art A1 23. Juli 2003

Anmelder: Renesas Electronics Corporation, NEC Electronics Corporation, NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP1329959
Aktenzeichen: EP02018499
Anmeldetag: 16. August 2002
Veröffentlichung: 23. Juli 2003
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/08H01L29/737

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Renesas Electronics Corporation
NEC Electronics Corporation
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Tokio, der IT- und Netzwerklösungen, Telekommunikationsausrüstung sowie Sicherheits- und Biometrietechnik anbietet.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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